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    说明：芯片 电压基准 XFET LDO 拓扑结构: 串联 输入电压 最小: 3V 输入电压最大值: 18V 基准源电压: 2.048V 容差, 基准电压: 1mV 电压基准封装形式: SOIC 针脚数: 8 温度系数: 3ppm/°C MSL: MSL 1 -无限制 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 器件标号: 440 容差: 1.0% 容差, 基准电压 & 老化: 0.05% 工作温度最小值: -40°C 工作温度最高值: 125°C 工作温度范围: -40°C 至 +125°C 温度系数, +: 3ppm/°C 电压基准类型: 固定 输入电压: 3V 至 18V

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    说明：精密微功耗低压降电压基准

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    说明：TL431 可调精密并联稳压器

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    说明：精密微功耗低压降电压基准

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    说明：电压基准 IC ±0.2% 10mA 2.5V

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    说明：精密微功耗并联电压基准

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