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    说明：芯片 电压基准 XFET LDO 拓扑结构: 串联 输入电压 最小: 3V 输入电压最大值: 18V 基准源电压: 2.048V 容差, 基准电压: 1mV 电压基准封装形式: SOIC 针脚数: 8 温度系数: 3ppm/°C MSL: MSL 1 -无限制 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 器件标号: 440 容差: 1.0% 容差, 基准电压 & 老化: 0.05% 工作温度最小值: -40°C 工作温度最高值: 125°C 工作温度范围: -40°C 至 +125°C 温度系数, +: 3ppm/°C 电压基准类型: 固定 输入电压: 3V 至 18V

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    说明：Vout=2.5V,Iout=5mA,±0.4%

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    说明：电压基准 IC ±0.06% 10mA 5V

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    说明：1.235V -2.83%,+1.22%

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    说明：精度：0.4%，输出：2.5~36V，温漂：20PPM/℃；近似芯片：TL431、CJ431、ME431、KA431、KIA431

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    ￥0.586613

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    ￥27.354000

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