Zeblit65W充电头
Zeblit泽布利特氮化镓充电器利用氮化镓(GaN)材料的宽禁带(3.4eV)和高电子迁移率特性,通过高频开关电源电路将交流电高效转换为直流电,实现更小体积、更高功率和更低损耗的充电过程。其核心原理是通过氮化镓功率器件(如开关管)提升开关频率(可达130kHz以上),减少能量损耗,同时优化电路设计压缩空间。
Zeblit65W充电头导热凝胶100%覆盖和工整的充电头内部结构
氮化镓材料特性
氮化镓作为第三代半导体材料,其物理特性是工作原理的基础:
1. 宽禁带(3.4eV):比硅(1.1eV)高3倍,能承受更高电压(达330万V)和电场强度,减少击穿风险。
2. 高电子迁移率(1500 cm²/V·s):电子流动速度更快,开关频率可达硅器件的10倍以上,降低导通损耗。
3. 高热导率(130 W/m·K):散热效率高,减少发热对元件的损害。
工作原理与关键组件
充电器通过以下步骤转换电能,氮化镓器件核心作用已加粗:
1. 交流转直流:220V交流电经保险丝、EMI滤波和整流桥转为高压直流电。
2. 高频开关控制:
- 氮化镓开关管(如比亚迪主控芯片)以130kHz高频开关电流,替代传统硅器件,减少变压器体积。
- 配合PFC(功率因数校正)电路优化电能利用率。
3. 电压转换与稳压:
- 变压器降压后,同步整流芯片(如BF1592)将低压交流电转为直流电,损耗比肖特基二极管低50%。
- 协议芯片(如SW2303)动态匹配设备需求,输出稳定电压。
核心优势
1. 体积缩小30%-50%:高频开关允许使用更小变压器和电容(如28mm×27mm模块),因介电常数低,元件承载电容更少。
2. 效率>95%:开关损耗降低50%,发热减少,支持更高功率密度(如100W输出)。
3. 多协议兼容:内置芯片支持PD/QC等快充协议,智能分配多口功率(如C1/C2口盲插67W)。
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