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中芯国际进入紧张时刻,一年两次扩充28nm产能
行业新闻2021年03月23日 14:30

今年3月1日,美国四部委却发令,批准美领先设备厂商向中芯国际供应,其中包括14纳米及以上的设备。另外荷兰半导体设备制造商阿斯麦集团也开始愿意向中芯国际出售光刻机。上述新闻千万别以为为中国芯片市场带来希望,实际上,被批准的对中芯国际出售的光刻机采用的是DUV技术,即深紫外线技术,通俗点说,DUV光刻机只能生产中低端芯片,不能实现高端芯片的生产,真正生产高端芯片的光刻机技术是EUV技术,这才是制造高级芯片的关键。在这种情况下,中芯国际选择发力28nm芯片的制造,一定程度上可以缓解国内外智能制造领域对芯片的迫切需求。在芯片市场上,普遍认为28nm以上的为成熟制程,以下则为先进制程。28nm是区分中低端芯片的一个关键节点。

据《2019集成电路行业研究报告》,28nm及以下工艺的先进工艺占据了48%的市场份额,而成熟工艺则占据了52%的市场份额。28nm以上成熟工艺领域的芯片主要用于AIoT、新能源汽车、5G网络设备、一些智能家居等。其市场需求量很大,市场前景比较好。

为何一年两投28nm制程?

 在2020年第四季度的电话会上,中芯国际联合首席执行官赵海军曾表示:今年43亿美元的资本开支将大部分用于成熟工艺的扩产,小部分用于先进工艺,北京新合资项目土建及其它。同时计划今年成熟12寸产线扩产1万片,成熟8寸产线扩产不少于4.5万片。而一年两次连投28nm也符合会议的内容,中芯国际的布局也备受业界的关注。

中芯国际带动其它厂商纷纷开始行动?

其实除了中芯国际,2020年下半年开始,很多芯片制造厂也开始筹备扩产计划。

台积电:赴美(亚利桑那州)建设5nm晶圆厂,共计6座,投资356.16亿美元,月计划产10万+片;

三星:美坦桑尼亚、纽约、奥斯汀州各建1座,投资金额170亿美元;

格心:扩产12~90nm制程,纽约、新加坡、德国沙克森州均有建厂;

华虹:在无锡建厂,月产能达约达8万片;

美光:在中国台湾建厂,生产12nm制程及以下扩产DRAM产品;

铠侠:日本三重县建厂,生产第六代NAND闪存“BICSFLASH”,投资约91.85亿美元。

国际芯片制造厂商基本集中于美国和德国建厂,例如英飞凌和博世。

要想解决缺芯问题需要产业链的规划,面对不同的产能要求,晶圆厂商需要面对更大的挑战。

飞速发展的同时,是否会带来产能过剩?

在芯片行业快速发展的同时,令人担心的是,政策的促进是否会与2009年全国普遍出现的"光伏之热"一样,出现芯片产能过剩问题。

中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明曾表示:“当前我国芯片制造产能发展严重滞后于需求,供给能力和需求的差距越来越大,如果不加速发展,未来中国芯片产能与需求的差距,将拉大到至少相当于8个中芯国际的产能,因此必须加快速度。”未来很可能出现先进工艺产能无法满足全球需求,芯片供给不是过剩而是可能出现长期供给不足的。

总结:

按照市场发展的规律,芯片缺货属于市场的正常规律,且存在一定的周期。

芯片行业需求市场时强时弱,存在从强转弱或从弱转强的动态变化过程中,但当下市场出现的“缺芯热”,造成了严重的供需不平衡。在如今的大环境下,各种产业的商业模式也遭受了极大的挑战。市场需要建立一套完成的体系,需要整合共享的创新模式。利润共享,风险共同承担。

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