有机场效应晶体管因具有——体积小、重量轻、功耗低、热稳定性好、无二次击穿现象、材料来源广，可与柔性衬底兼容、低温加工、适合大批量生产和及成本等，从而引起研究人员的重视。
它用途广泛，可用于全有机主动显示、大规模和超大规模集成电路、记忆组件、传感器、有机激光、互补逻辑电路和超导材料制备等。
工作原理
有机场效应晶体管由三个电极：源极、漏极和栅极、以及有机半导体层和栅绝缘层组成。另外，根据器件的结构，有机场效应晶体管可以分为四类：底栅底接触式、顶栅顶接触式和项栅底接触式。
根据栅极的位置来划分底栅和顶栅，底栅式栅极沉积在栅绝缘层的下方位置，顶栅则是栅极沉积在有机半导体和绝缘层的上方；又根据有机半导体和源漏电极的位置来划分，顶接触是有机半导体先生长在栅绝缘层再进行源漏电极的沉积，而底接触是有机半导体的基层是源漏电极和山绝缘层。
P型OFET工作原理
有机场效应晶体管在结构上类似一个电容器，源、漏电极和有机半导体薄膜的导电沟道相当于一个极板，栅极相当于另一个极板。当在栅、源之间加上负电压从VGS后，就会在绝缘层附近的半导体层中感应出带正电的空穴，栅极处会积祟带负电的电子。
主要性能指标的介绍
对有机半导体层的要求主要有以下几个方面：
第一，拥有稳定的电化学特性和良好的共扼体系，这样才有利于载流子的传输，获得较高迁移率；
第二，本征电导率必须较低，这是为了尽可能降低器件的漏电流，从而提高器件的开关比。此外，OFET半导体材料还应满足下列要求：单分子的最低未占分子轨道（LUMO）或最高已占分子轨道（HOMO）能级有利于电子或空穴注入；固态晶体结构应提供足够分子轨道重叠，保证电荷在相邻分子间迁移时无过高能垒。
顶结构OFET输出特性曲线及转移特性曲线图
客服: