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原厂专区
无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。

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    说明:N沟道,40V,9A,16毫欧,类似NCE3010S,比NCE3010S耐压稍高。

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    说明:P沟道,60V,4A,120毫欧。

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    说明:NMOS,100V/14A,8.8mΩ;

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    说明:N沟道,100V,3A,160毫欧。近似型号: CJA03N10。

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    说明:NMOS,75V/210A,RDS=3mR ,标称48V电池无刷控制器专用(电镐专用,性价比高)。

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    说明:N沟 100V 7A

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:N沟道,30V,18A,7毫欧。

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