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原厂专区
无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。

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    说明:N沟道,100V,6A,小于140毫欧,近似型号:NCE0110,TIP122,MJD122等用于输出驱动。

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    说明:N 沟道,30V,11A,Rds(ON) < 10mΩ @ V GS =10V,Rds(ON) < 14mΩ @ V GS =4.5V

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    说明:N沟道

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    说明:N沟道,30V,120A,1.95mΩ

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:N沟道,30V,185A,1.1mΩ

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