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无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT，相关核心技术已获得多项专利授权，四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。
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    说明：P沟道，-30V，-4.1A，60毫欧。

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    说明：N沟道，100V/15A，75毫欧。

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    说明：N沟道，100V，3A，136毫欧@10V。

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    说明：N沟道

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    说明：N沟道,100V,9.6A

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    说明：新洁能 PMOS管 100V 18A 170mΩ

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  • 供应商：自营(DL0001)

    说明：N沟道，60V/20A，37毫欧。

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  • 供应商：自营(DL0001)

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  • 供应商：自营(DL0001)

    说明：P沟道，40V，40A.

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  • 供应商：自营(DL0001)

    说明：P沟道，55V，15A。

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    ￥1.047697

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  • 供应商：自营(DL0001)

    说明：P沟道

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  • 供应商：自营(DL0001)

    说明：N沟道，60V，75A，9.1毫欧。

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  • 供应商：ZJ0763

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  • 供应商：自营(DL0001)

    说明：N沟道，20V，6.5A，27毫欧，带ESD保护。

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  • 供应商：自营(DL0001)

    说明：P沟道

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  • 供应商：自营(DL0001)

    说明：新洁能PMOS管 100V 13A 170mΩ

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