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    说明:晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@20mA,0.3V 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):300mV@100uA,5V 输出电压(VO(on)@Io/Ii):300mV@50mA,2.5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,10V

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    说明:This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.

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    说明:This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.

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