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    说明:耗尽型MOS管,N沟道,400V,120mA,25Ω@0V

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    说明:N沟道,60V,20A,60mΩ@10V

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    1000+

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:N沟道,800V,8A,1.45Ω@10V

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:双N沟道场效应管,MOS管,SOT23-6,510mA/50V,-55-150℃

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    50+

    150+

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:P沟道 -20V -3A

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    50+

    150+

    500+

    3000+

    6000+

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    ¥0.443423

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    ¥0.329448

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    ¥1.105800

    ¥1.086400

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:N沟道

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    10+

    30+

    100+

    500+

    1000+

    ¥4.074000

    ¥3.356200

    ¥3.007000

    ¥2.648100

    ¥2.434700

    ¥2.328000

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:RF用途的低噪声FET

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:P沟道,-60V,-17.7A,100mΩ@4.5V

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    100+

    500+

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    ¥1.180490

    ¥1.082714

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    ¥0.906368

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:N沟道,700V,3A,4Ω@10V

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    1+

    10+

    30+

    100+

    500+

    1000+

    ¥2.071920

    ¥1.684890

    ¥1.519020

    ¥1.312119

    ¥1.219969

    ¥1.164679

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:P沟道,-30V,-80A,11mΩ@-4.5V

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    30+

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    1000+

    ¥2.299191

    ¥1.891985

    ¥1.717482

    ¥1.499717

    ¥1.402717

    ¥1.344614

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:N沟道,100V,90A,6.8mΩ@10V,可替代IPD082N10N3G

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    10+

    30+

    100+

    ¥12.241400

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    ¥9.215000

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:N沟道,900V,9A,1.3Ω@10V

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    30+

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