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| 供应商编号 | 供应商型号 | 货期 | 说明 | 库存 | 梯度价格(含税13%) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 自营(DL0001) | L6386ED013TR | 当天发货 | 0 |
1+ 10+ 30+ 100+ 500+ 1000+ ¥19.865600 ¥17.906200 ¥16.742200 ¥15.772200 ¥15.122300 ¥14.831300 |
| 暂无供应商提供配价 |
更多商品数据加载中...| 型号 | L6386ED013TR |
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 上升/下降时间 | 50ns,30ns |
| 栅极类型 | IGBT,N沟道MOSFET |
| 工作温度 | -40°C~150°C(TJ) |
| 电源电压 | 17V(Max) |
| 封装/外壳 | 14-SOIC(0.154",3.90mm宽) |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
| 逻辑电压 -VIL,VIH | 1.5V,3.6V |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
| 电流-峰值输出(灌入,拉出) | 400mA,650mA |
| 通道类型 | 独立式 |
| 输入类型 | 反相 |
| 驱动器数 | 2 |
| 客户账号 | 下单数量 | 下单金额 | 下单时间 |
|---|
