


供应商编号 | 供应商型号 | 货期 | 说明 | 库存 | 梯度价格(含税13%) | |
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自营(DL0001) | L6386ED013TR | 当天发货 | 0 |
1+ 10+ 30+ 100+ 500+ 1000+ ¥19.865600 ¥17.906200 ¥16.742200 ¥15.772200 ¥15.122300 ¥14.831300 |
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型号 | L6386ED013TR |
制造商 | ST(意法半导体) |
上升/下降时间 | 50ns,30ns |
栅极类型 | IGBT,N沟道MOSFET |
工作温度 | -40°C~150°C(TJ) |
电源电压 | 17V(Max) |
封装/外壳 | 14-SOIC(0.154",3.90mm宽) |
安装类型 | 表面贴装(SMT) |
逻辑电压 -VIL,VIH | 1.5V,3.6V |
驱动配置 | 半桥 |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
电流-峰值输出(灌入,拉出) | 400mA,650mA |
通道类型 | 独立式 |
输入类型 | 反相 |
驱动器数 | 2 |
客户账号 | 下单数量 | 下单金额 | 下单时间 |
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