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SI7617DN-T1-GE3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：SI7617DN-T1-GE3

所属分类：MOS(场效应管)

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型号SI7617DN-T1-GE3
制造商VISHAY(威世)
FET类型P沟道
漏源极电压（Vdss）30V
栅源电压 Vgss±25V
安装类型表面贴装(SMT)
封装/外壳PowerPAK® 1212-8

SI7617DN-T1-GE3月价格走势

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