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SI4465ADY-T1-E3

制造商：VBsemi(台湾微碧)

商品参数：SI4465ADY-T1-E3

所属分类：MOS(场效应管)

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型号SI4465ADY-T1-E3
制造商VBsemi(台湾微碧)
漏源电压（Vdss）8V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)-
FET 功能-
FET 类型P 通道
安装类型表面贴装型
功率耗散（最大值）3W（Ta），6.5W（Tc）
Vgs（最大值）±8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）9 毫欧 @ 14A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1V @ 250µA
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
技术MOSFET（金属氧化物）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）85nC @ 4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4.5V

SI4465ADY-T1-E3月价格走势

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