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STGWT60H65DFB

制造商：ST(意法半导体)

商品参数：STGWT60H65DFB

所属分类：IGBT管/模块

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型号STGWT60H65DFB
制造商ST(意法半导体)
测试条件400V，60A，5 欧姆，15V
电压 - 集射极击穿（最大值）650V
安装类型通孔
功率 - 最大值375W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）2V @ 15V，60A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）80A
25°C 时 Td（开/关）值51ns/160ns
电流 - 集电极脉冲 (Icm)240A
栅极电荷306nC
反向恢复时间 (trr)60ns
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
输入类型标准
开关能量1.09mJ（开），626µJ（关）
IGBT 类型沟槽型场截止

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