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STGB15M65DF2

制造商：ST(意法半导体)

商品参数：STGB15M65DF2

所属分类：IGBT管/模块

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型号STGB15M65DF2
制造商ST(意法半导体)
25°C 时 Td（开/关）值24ns/93ns
电流 - 集电极脉冲 (Icm)60A
栅极电荷45nC
反向恢复时间 (trr)142ns
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
输入类型标准
开关能量90µJ（开），450µJ（关）
IGBT 类型沟槽型场截止
测试条件400V，15A，12 欧姆，15V
电压 - 集射极击穿（最大值）650V
安装类型表面贴装型
功率 - 最大值136W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）2V @ 15V，15A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）30A

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