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STGB15M65DF2

制造商:ST(意法半导体)

商品参数:STGB15M65DF2

所属分类:IGBT管/模块

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型号STGB15M65DF2
制造商ST(意法半导体)
25°C 时 Td(开/关)值24ns/93ns
电流 - 集电极脉冲 (Icm)60A
栅极电荷45nC
反向恢复时间 (trr)142ns
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
输入类型标准
开关能量90µJ(开),450µJ(关)
IGBT 类型沟槽型场截止
测试条件400V,15A,12 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值)650V
安装类型表面贴装型
功率 - 最大值136W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)2V @ 15V,15A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)30A

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