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SISA18ADN-T1-GE3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：SISA18ADN-T1-GE3

所属分类：MOS(场效应管)

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型号SISA18ADN-T1-GE3
制造商VISHAY(威世)
封装PowerPAK 1212-8
漏源导通电阻7.5mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）19.8W(Tc)
类型N沟道
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）38.3A(Tc)
栅源极阈值电压2.4V @ 250uA

SISA18ADN-T1-GE3月价格走势

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