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DMG1012T-7

制造商：DIODES(美台)

商品参数：DMG1012T-7

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,20V,0.63A,0.4Ω@4.5V

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型号DMG1012T-7
制造商DIODES(美台)
封装SOT-523
最大功率耗散（Ta=25°C）280mW
类型N沟道
漏源电压（Vdss）20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）630mA
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻400mΩ @ 600mA,4.5V

DMG1012T-7月价格走势

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