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位置：首页 >晶体管 > 晶体管 > ZXMP6A17E6TA
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ZXMP6A17E6TA

制造商：DIODES(美台)

商品参数：P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

所属分类：晶体管

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型号ZXMP6A17E6TA
制造商DIODES(美台)
封装
连续漏极电流ID3A
漏源导通电阻125mΩ @ 2.3A,10V
MPQ无
最大功率耗散（Ta=25°C）1.1W
封装形式PackageSOT-26
类型P沟道
漏源电压（Vdss）60V
极性PolarityP-CH
连续漏极电流（Id）（25°C 时）2.3A
漏源极击穿电压VDSS60V
栅源极阈值电压1V @ 250uA

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