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IRFL9110TRPBF

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223

所属分类：晶体管

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型号IRFL9110TRPBF
制造商VISHAY(威世)
漏源极导通电阻RDS(ON)1.2Ω
MPQ2,500pcs
功率耗散（最大值）2W（Ta），3.1W（Tc）
Vgs（最大值）±20V
技术MOSFET（金属氧化物）
封装形式PackageSOT-223-3
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250µA
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
极性PolarityP-CH
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）8.7nC @ 10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.1A（Tc）
漏源极击穿电压VDSS100V
漏源电压（Vdss）100V
FET 类型P 通道
安装类型表面贴装型
连续漏极电流ID1.1A
系列低压MOS管
FET 功能-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）200pF @ 25V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.2 欧姆 @ 660mA，10V

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