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芯片电压基准 XFET LDO 拓扑结构: 串联输入电压最小: 3V 输入电压最大值: 18V 基准源电压: 2.048V 容差, 基准电压: 1mV 电压基准封装形式: SOIC 针脚数: 8 温度系数: 3ppm/°C MSL: MSL 1 -无限制 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 器件标号: 440 容差: 1.0% 容差, 基准电压 & 老化: 0.05% 工作温度最小值: -40°C 工作温度最高值: 125°C 工作温度范围: -40°C 至 +125°C 温度系数, +: 3ppm/°C 电压基准类型: 固定输入电压: 3V 至 18V

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供应商编号	供应商型号	货期	说明	库存	梯度价格(含税13%)
自营(DL0001)	ADR440BRZ	当天发货	芯片电压基准 XFET LDO 拓扑结构: 串联输入电压最小: 3V 输入电压最大值: 18V 基准源电压: 2.048V 容差, 基准电压: 1mV 电压基准封装形式: SOIC 针脚数: 8 温度系数: 3ppm/°C MSL: MSL 1 -无限制 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 器件标号: 440 容差: 1.0% 容差, 基准电压 & 老化: 0.05% 工作温度最小值: -40°C 工作温度最高值: 125°C 工作温度范围: -40°C 至 +125°C 温度系数, +: 3ppm/°C 电压基准类型: 固定输入电压: 3V 至 18V	0	1+ 10+ 30+ 100+ ￥39.556600 ￥33.552300 ￥32.368900 ￥31.156400	一键配价

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型号	ADR440BRZ
制造商	ADI(亚德诺)/LINEAR
封装	SOIC-8

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