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2N7002LT1

制造商：HT(金誉半导体)

商品参数：2N7002LT1

所属分类：MOS(场效应管)

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型号2N7002LT1
制造商HT(金誉半导体)
栅源极阀值电压VGS(th)1V
封装形式PackageSOT-23
极性PolarityN(with ESD)
漏源极击穿电压VDSS60V
连续漏极电流ID0.115A
系列低压MOS管
漏源极导通电阻RDS(ON)7.5Ω
MPQ3,000pcs

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