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MMBT5551 G1 100-200

制造商:HT(金誉半导体)

商品参数:MMBT5551 G1 100-200

所属分类:三极管

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型号MMBT5551 G1 100-200
制造商HT(金誉半导体)
集电极_发射极击穿电压VCEO160V
系列通用三极管
电流放大倍数最小值hFE_Min100
MPQ3,000pcs
电流放大倍数最大值hFE_Max300
封装形式PackageSOT-23
极性PolarityNPN
集电极最大允许电流Ic600mA

MMBT5551 G1 100-200月价格走势

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