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STP80NF10

制造商：ST(意法半导体)

商品参数：STP80NF10 管装

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,100V,80A,15mΩ@10V

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型号STP80NF10
制造商ST(意法半导体)
封装TO-220(TO-220-3)
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA
安装类型通孔
漏源导通电阻15mΩ @ 40A,10V
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）182nC @ 10V
最大功率耗散（Ta=25°C）300W
漏源极电压（Vdss）100V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）5500pF @ 25V
类型N沟道
漏源电压（Vdss）100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）80A（Tc）
功率 - 最大值300W
连续漏极电流（Id）（25°C 时）80A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）15 毫欧 @ 40A，10V
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
栅源极阈值电压4V @ 250uA

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