您好, 欢迎来到大联芯城 会员注册| 会员登录
合作商中心 客服中心:0755-82551557
位置:首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > FDP047AN08A0
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
浏览量:1454
分享:
FDP047AN08A0

制造商:FAIRCHILD(飞兆/仙童)

商品参数:FDP047AN08A0 管装

所属分类:MOS(场效应管)

近期最大存货

0个

近期最低价格

¥5.7133/PCS

包装数量:800

近期最高价格:¥9.0016/PCS

低于最高价格:36.53%

查看所有价格

服务承诺:正品行货现货现发异议退换

商品说明

N沟道,75V,80A,4mΩ@10V
  • RoHS标识

  • 无铅标识

  • 商品价格
  • 规格说明
  • 价格趋势
  • 商品评论
自营样品原厂正品现货库存4小时发货
供应商编号 供应商型号 货期 说明 库存 梯度价格(含税13%)
自营(DL0001)
FDP047AN08A0 当天发货 N沟道,75V,80A,4mΩ@10V 0

1+

10+

30+

100+

500+

800+

¥9.001600

¥7.721200

¥7.022800

¥6.227400

¥5.878200

¥5.713300

批量售价原厂正品现货库存4小时发货
暂无供应商提供配价
更多商品数据加载中...
型号FDP047AN08A0
制造商FAIRCHILD(飞兆/仙童)
封装TO-220(TO-220-3)
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
安装类型通孔
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)138nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)75V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)6600pF @ 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)15A(Tc)
功率 - 最大值310W
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)4.7 毫欧 @ 80A,10V
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)

FDP047AN08A0月价格走势

  • 数据加载中...
客户账号下单数量下单金额下单时间
注:只显示最近20条记录
注:只显示最近20条记录
  • 相关商品
关闭

意见反馈

感谢您使用大联芯城,请留下您宝贵的意见,我们一定认真对待!

商品对比

[隐藏]