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IPW60R099C6

制造商：Infineon(英飞凌)

商品参数：IPW60R099C6 管装

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,650V,37.9A,99mΩ@10V

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型号IPW60R099C6
制造商Infineon(英飞凌)
封装TO-247(AC)
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）37.9A（Tc）
功率 - 最大值278W
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）99 毫欧 @ 18.1A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.5V @ 1.21mA
安装类型通孔
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）119nC @ 10V
漏源极电压（Vdss）600V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）2660pF @ 100V

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