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CSD18533Q5A

制造商：TI(德州仪器)

商品参数：CSD18533Q5A

所属分类：MOS(场效应管)

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型号CSD18533Q5A
制造商TI(德州仪器)
封装PowerTDFN-8
功率耗散（最大值）3.2W（Ta），116W（Tc）
Vgs（最大值）±20V
技术MOSFET（金属氧化物）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.3V @ 250µA
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）36nC @ 10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)17A（Ta），100A（Tc）
漏源电压（Vdss）60V
FET 类型N 通道
安装类型表面贴装型
FET 功能-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2750pF @ 30V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）5.9 毫欧 @ 18A，10V

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