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NTD4858NT4G

制造商：ON(安森美)

商品参数：N沟道MOS管

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,25V,14A,9.3mΩ@4.5V

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型号NTD4858NT4G
制造商ON(安森美)
封装TO-252-2(DPAK)
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）11.2A（Ta），73A（Tc）
功率 - 最大值1.3W
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）6.2 毫欧 @ 30A，10V
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250μA
安装类型表面贴装
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）19.2nC @ 4.5V
漏源极电压（Vdss）25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）1563pF @ 12V

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