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IRFBG30PBF

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：IRFBG30PBF 管装

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,1000V,3.1A,5Ω@10V

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型号IRFBG30PBF
制造商VISHAY(威世)
封装TO-220(TO-220-3)
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）3.1A（Tc）
功率 - 最大值125W
栅源极阈值电压4V @ 250uA
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）5 欧姆 @ 1.9A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
漏源导通电阻5Ω @ 1.9A,10V
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA
安装类型通孔
最大功率耗散（Ta=25°C）125W
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）80nC @ 10V
类型N沟道
漏源电压（Vdss）1000V
漏源极电压（Vdss）1000V（1kV）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）980pF @ 25V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）3.1A

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