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TPS1100DR

制造商：TI(德州仪器)

商品参数：TPS1100DR

所属分类：MOS(场效应管)

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型号TPS1100DR
制造商TI(德州仪器)
封装SOP-8_150mil
FET 类型MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250μA
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）5.45nC @ 10V
漏源极电压（Vdss）15V
功率 - 最大值791mW
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.6A（Ta）
工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）180 毫欧 @ 1.5A，10V
安装类型表面贴装

TPS1100DR月价格走势

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