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IRFB11N50APBF

制造商：IR

商品参数： IRFB11N50APBF

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,500V,11A,520mΩ@10V

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型号IRFB11N50APBF
制造商IR
类型N沟道
漏源电压（Vdss）500V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）11A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻520mΩ @ 6.6A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）170W

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