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STP11NM60FP

制造商:ST(意法半导体)

商品参数: STP11NM60FP

所属分类:MOS(场效应管)

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N沟道,600V,11A,450mΩ@10V
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型号STP11NM60FP
制造商ST(意法半导体)
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
安装类型通孔
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)30nC @ 10V
封装TO-220-3 整包
漏源极电压(Vdss)600V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)1000pF @ 25V
封装TO-220FP
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)11A(Tc)
功率 - 最大值35W
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)450 毫欧 @ 5.5A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

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