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STGF19NC60KD

制造商：ST(意法半导体)

商品参数：STGF19NC60KD 管装

所属分类：IGBT管/模块

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Vce=600V，Ic=16A，Vce(sat)=2.0V

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型号STGF19NC60KD
制造商ST(意法半导体)
封装TO-220F(TO-220IS)
电压 - 集射极击穿（最大值）600V
开关能量165μJ（开），255μJ（关）
反向恢复时间（trr）31ns
集射极击穿电压（最大值）600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）16A
输入类型标准
类型-
脉冲电流 - 集电极 (Icm)75A
栅极电荷55nC
安装类型通孔
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）2.75V @ 15V,12A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）2.75V @ 15V，12A
25°C 时 Td（开/关）值30ns/105ns
栅极阈值电压-VGE(th)6.5V @ 250uA
功率 - 最大值32W
测试条件480V，12A，10 欧姆，15V
集电极电流（Ic）（最大值）16A

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