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STGF19NC60KD

制造商:ST(意法半导体)

商品参数:STGF19NC60KD 管装

所属分类:IGBT管/模块

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Vce=600V,Ic=16A,Vce(sat)=2.0V
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型号STGF19NC60KD
制造商ST(意法半导体)
封装TO-220F(TO-220IS)
电压 - 集射极击穿(最大值)600V
开关能量165μJ(开),255μJ(关)
反向恢复时间(trr)31ns
集射极击穿电压(最大值)600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)16A
输入类型标准
类型-
脉冲电流 - 集电极 (Icm)75A
栅极电荷55nC
安装类型通孔
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)2.75V @ 15V,12A
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)2.75V @ 15V,12A
25°C 时 Td(开/关)值30ns/105ns
栅极阈值电压-VGE(th)6.5V @ 250uA
功率 - 最大值32W
测试条件480V,12A,10 欧姆,15V
集电极电流(Ic)(最大值)16A

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