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IRF840ASTRLPBF

制造商：VISHAY(威世)

商品参数： IRF840ASTRLPBF

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,500V,8A,850mΩ@10V

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型号IRF840ASTRLPBF
制造商VISHAY(威世)
漏源极电压（Vdss）500V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）1018pF @ 25V
封装D2PAK
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）8A（Tc）
功率 - 最大值3.1W
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）850 毫欧 @ 4.8A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA
安装类型表面贴装
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）38nC @ 10V
封装TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

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