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位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > IRFBG20PBF
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IRFBG20PBF

制造商：IR

商品参数：IRFBG20PBF 管装

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,1000V,1.4A,11Ω@10V

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型号IRFBG20PBF
制造商IR
封装TO-220(TO-220-3)
最大功率耗散（Ta=25°C）54W
类型N沟道
漏源电压（Vdss）1000V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）1.4A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻11Ω @ 840mA,10V

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