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位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > FQP7N80C
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FQP7N80C

制造商：FAIRCHILD(飞兆/仙童)

商品参数：FQP7N80C

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,800V,6.6A,1.9Ω@10V

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型号FQP7N80C
制造商FAIRCHILD(飞兆/仙童)
封装TO-220(TO-220-3)
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）6.6A（Tc）
功率 - 最大值167W
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）1.9 欧姆 @ 3.3A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250μA
安装类型通孔
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）35nC @ 10V
漏源极电压（Vdss）800V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）1680pF @ 25V

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