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位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > IRFBE30PBF
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IRFBE30PBF

制造商：IR

商品参数：IRFBE30PBF 管装

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,800V,4.1A,3Ω@10V

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型号IRFBE30PBF
制造商IR
封装TO-220(TO-220-3)
漏源导通电阻3Ω @ 2.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）125W
类型N沟道
漏源电压（Vdss）800V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）4.1A
栅源极阈值电压4V @ 250uA

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