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SI7414DN-T1-E3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：SI7414DN-T1-E3 托盘 托盘 托盘

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,60V,5.6A,21mΩ@10V

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型号SI7414DN-T1-E3
制造商VISHAY(威世)
封装PowerPAK-1212-8
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）25 毫欧 @ 8.7A，10V
安装类型表面贴装
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）25nC @ 10V
漏源极电压（Vdss）60V
功率 - 最大值1.5W
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5.6A（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

SI7414DN-T1-E3月价格走势

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