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STGP19NC60KD

制造商：ST(意法半导体)

商品参数：STGP19NC60KD 管装

所属分类：IGBT管/模块

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Vce=600V，Ic=35A，Vce(sat)=2.0V

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型号STGP19NC60KD
制造商ST(意法半导体)
封装TO-220(TO-220-3)
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）2.75V @ 15V，12A
25°C 时 Td（开/关）值30ns/105ns
电流 - 集电极脉冲 (Icm)75A
功率 - 最大值125W
测试条件480V，12A，10 欧姆，15V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
电压 - 集射极击穿（最大值）600V
开关能量165μJ（开），255μJ（关）
反向恢复时间（trr）31ns
反向恢复时间 (trr)31ns
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）35A
电流 - 集电极（Ic）（最大值）35A
输入类型标准
IGBT 类型-
脉冲电流 - 集电极 (Icm)75A
栅极电荷55nC
安装类型通孔
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）2.75V @ 15V，12A

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