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IRFBE20PBF

制造商：VISHAY(威世)

商品参数： IRFBE20PBF

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,800V,1.8A,6.5Ω@10V

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型号IRFBE20PBF
制造商VISHAY(威世)
漏源极电压（Vdss）800V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）530pF @ 25V
封装TO-220AB
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.8A（Tc）
功率 - 最大值54W
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）6.5 欧姆 @ 1.1A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA
安装类型通孔
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）38nC @ 10V
封装TO-220-3

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