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位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > FQP20N06
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FQP20N06

制造商：FAIRCHILD(飞兆/仙童)

商品参数：FQP20N06 管装

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,60V,20A,60mΩ@10V

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型号FQP20N06
制造商FAIRCHILD(飞兆/仙童)
封装TO-220(TO-220-3)
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）20A（Tc）
功率 - 最大值53W
最大功率耗散（Ta=25°C）53W
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）60 毫欧 @ 10A，10V
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
类型N沟道
漏源电压（Vdss）60V
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA
安装类型通孔
连续漏极电流（Id）（25°C 时）20A
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）15nC @ 10V
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源极电压（Vdss）60V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）590pF @ 25V
漏源导通电阻60mΩ @ 10A,10V

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