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SI4848DY-T1-E3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：SI4848DY-T1-E3

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,150V,3.7A,85mΩ@10V

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型号SI4848DY-T1-E3
制造商VISHAY(威世)
封装SOP-8_150mil
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）21nC @ 10V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.5W
漏源极电压（Vdss）150V
功率 - 最大值1.5W
类型N沟道
漏源电压（Vdss）150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.7A（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
连续漏极电流（Id）（25°C 时）2.7A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）85 毫欧 @ 3.5A，10V
安装类型表面贴装
栅源极阈值电压2V @ 250uA(最小)
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2V @ 250μA（最小）
漏源导通电阻85mΩ @ 3.5A,10V

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