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STD12NF06LT4

制造商：ST(意法半导体)

商品参数：STD12NF06LT4

所属分类：MOS(场效应管)

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N-MOS,TO-252-2(DPAK),60V,12A ,Vgs=3.3V时完全导通

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型号STD12NF06LT4
制造商ST(意法半导体)
封装TO-252-2(DPAK)
类型N沟道
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）12A
栅源极阈值电压2V @ 250uA
漏源导通电阻100mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）42.8W

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