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NTMD6P02R2G

制造商：ON(安森美)

商品参数：NTMD6P02R2G

所属分类：MOS(场效应管)

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型号NTMD6P02R2G
制造商ON(安森美)
封装SOIC-8_150mil
FET 功能逻辑电平门
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）35nC @ 4.5V
漏源极电压（Vdss）20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）1700pF @ 16V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4.8A
功率 - 最大值750mW
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）33 毫欧 @ 6.2A，4.5V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
FET 类型2 个 P 沟道（双）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.2V @ 250μA
安装类型表面贴装

NTMD6P02R2G月价格走势

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