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IRF7341TRPBF

制造商：IR

商品参数：IRF7341TRPBF

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,55V,4.9A,50mΩ@10V

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型号IRF7341TRPBF
制造商IR
封装SOIC-8_150mil
MPQ无
最大功率耗散（Ta=25°C）2W
封装形式PackageSOIC
类型双N沟道
漏源电压（Vdss）55V
极性PolarityN-CH
连续漏极电流（Id）（25°C 时）4.7A
漏源极击穿电压VDSS55V
栅源极阈值电压1V @ 250uA
连续漏极电流ID4.7A
漏源导通电阻50mΩ @ 4.7A,10V

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