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位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > AO4805
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AO4805

制造商：AOS

商品参数：AO4805

所属分类：MOS(场效应管)

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P沟道,-30V,-9A,18mΩ@-10V

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型号AO4805
制造商AOS
封装SOIC-8_150mil
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）9A
功率 - 最大值2W
栅源极阈值电压2.8V @ 250uA
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）19 毫欧 @ 8A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
漏源导通电阻19mΩ @ 8A,10V
FET 类型2 个 P 沟道（双）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.8V @ 250μA
安装类型表面贴装
最大功率耗散（Ta=25°C）2W
FET 功能逻辑电平门
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）39nC @ 10V
类型双P沟道
漏源电压（Vdss）30V
漏源极电压（Vdss）30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）2600pF @ 15V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）9A

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