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NTF2955T1G

制造商：ON(安森美)

商品参数：NTF2955T1G

所属分类：MOS(场效应管)

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P沟道,-60V,-2.6A,145mΩ@-10V

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型号NTF2955T1G
制造商ON(安森美)
封装SOT-223
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）185 毫欧 @ 2.4A，10V
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
类型P沟道
漏源电压（Vdss）60V
FET 类型MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 1mA
安装类型表面贴装
连续漏极电流（Id）（25°C 时）1.7A
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）14.3nC @ 10V
栅源极阈值电压4V @ 1mA
漏源极电压（Vdss）60V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）492pF @ 25V
漏源导通电阻185mΩ @ 2.4A,10V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.7A（Ta）
功率 - 最大值1W
最大功率耗散（Ta=25°C）1W

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