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位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > AO4485
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AO4485

制造商：AOS

商品参数：AO4485

所属分类：MOS(场效应管)

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P沟道,-40V,-10A,15mΩ@-10V

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型号AO4485
制造商AOS
封装SOP-8_150mil
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）10A（Ta）
功率 - 最大值1.7W
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）15 毫欧 @ 10A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
漏源导通电阻15mΩ @ 10A,10V
FET 类型MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250μA
安装类型表面贴装
最大功率耗散（Ta=25°C）1.7W
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）55nC @ 10V
类型P沟道
漏源电压（Vdss）40V
漏源极电压（Vdss）40V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）3000pF @ 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）10A

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