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位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > AOD403
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AOD403

制造商：AOS

商品参数：AOD403

所属分类：MOS(场效应管)

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P沟道,-30V,-70A,8mΩ@-10V

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型号AOD403
制造商AOS
封装TO-252-2(DPAK)
FET 类型MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.5V @ 250μA
安装类型表面贴装
类型P沟道
漏源电压（Vdss）30V
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）120nC @ 10V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）15A
漏源极电压（Vdss）30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）5300pF @ 15V
栅源极阈值电压3.5V @ 250uA
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）15A（Ta），70A（Tc）
功率 - 最大值2.5W
漏源导通电阻6mΩ @ 20A,20V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）6 毫欧 @ 20A，20V
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
最大功率耗散（Ta=25°C）2.5W

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