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STP5NK50Z

制造商：ST(意法半导体)

商品参数：STP5NK50Z 管装

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,500V,4.4A,1.5Ω@10V

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型号STP5NK50Z
制造商ST(意法半导体)
封装TO-220(TO-220-3)
漏源极电压（Vdss）500V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）535pF @ 25V
类型N沟道
漏源电压（Vdss）500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4.4A（Tc）
功率 - 最大值70W
连续漏极电流（Id）（25°C 时）4.4A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
栅源极阈值电压4.5V @ 50uA
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 50μA
安装类型通孔
漏源导通电阻1.5Ω @ 2.2A,10V
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）28nC @ 10V
最大功率耗散（Ta=25°C）70W

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