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AON6512

制造商:AOS

商品参数:AON6512

所属分类:MOS(场效应管)

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N沟道,30V,150A,2.4mΩ@4.5V
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型号AON6512
制造商AOS
封装DFN-8_5x6mm
漏源极电压(Vdss)30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)3430pF @ 15V
漏源导通电阻1.7mΩ @ 20A,10V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)54A(Ta),150A(Tc)
功率 - 最大值7.4W
最大功率耗散(Ta=25°C)7.4W
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)1.7 毫欧 @ 20A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
类型N沟道
漏源电压(Vdss)30V
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
安装类型表面贴装
连续漏极电流(Id)(25°C 时)54A
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)64nC @ 10V
栅源极阈值电压2V @ 250uA

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